中国科学院金属研究所机构知识库

QQ客服 官方微博 反馈留言

	掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响
	于晓华; 荣菊; 詹肇麟; 王远
	2015-03-25
发表期刊	材料热处理学报
期号	3页码:31-34
摘要	以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷。将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量。采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能。研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米TiO2高达30.5μm;当TiO2掺杂量为1.5%mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 m A及为非线性系数为20.1。
部门归属	昆明理工大学材料科学与工程学院 ; 中国科学院金属研究所 ; 西南林业大学机械与交通学院
关键词	Zno压敏陶瓷 Tio2掺杂 压敏电压 非线性系数 漏电流
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74128
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响[J]. 材料热处理学报,2015(3):31-34.
APA	于晓华,荣菊,詹肇麟,&王远.(2015).掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响.材料热处理学报(3),31-34.
MLA	于晓华,et al."掺杂TiO_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响".材料热处理学报 .3(2015):31-34.

条目包含的文件
条目无相关文件。

个性服务

推荐该条目

保存到收藏夹

查看访问统计

导出为Endnote文件

谷歌学术

谷歌学术中相似的文章

[于晓华]的文章

[荣菊]的文章

[詹肇麟]的文章

百度学术

百度学术中相似的文章

[于晓华]的文章

[荣菊]的文章

[詹肇麟]的文章

必应学术

必应学术中相似的文章

[于晓华]的文章

[荣菊]的文章

[詹肇麟]的文章

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。