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烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响
于晓华; 荣菊; 詹肇麟; 王远
2015-06-30
Source Publication材料热处理学报
IssueS1
Abstract以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100~1250℃)与保温时间(1.0~2.5h)下制备ZnO压敏陶瓷。采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响。结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加。制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0V/mm、漏电流为0.014mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7μm。
description.department昆明理工大学材料科学与工程学院 ; 中国科学院金属研究所 ; 西南林业大学机械与交通学院
KeywordZno压敏陶瓷 烧结温度 保温时间 电学性能 微观结构
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74474
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响[J]. 材料热处理学报,2015(S1).
APA 于晓华,荣菊,詹肇麟,&王远.(2015).烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响.材料热处理学报(S1).
MLA 于晓华,et al."烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响".材料热处理学报 .S1(2015).
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