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题名: 烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响
作者: 于晓华;  荣菊;  詹肇麟;  王远
发表日期: 2015-6-30
摘要: 以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100~1250℃)与保温时间(1.0~2.5h)下制备ZnO压敏陶瓷。采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响。结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加。制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0V/mm、漏电流为0.014mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7μm。
刊名: 材料热处理学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_期刊论文

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于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 烧结工艺对zno压敏陶瓷微观结构与电学性能影响[J]. 材料热处理学报,2015(S1).
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