中国科学院金属研究所机构知识库(IMR OpenIR): 一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法

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IMR OpenIR > 中国科学院金属研究所 > 专利

专利名称:	一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法
发明人:	甘俊杰; 谭丽丽; 杨柯; 李扬德; 李卫荣
公开（公告）日:	2015-6-10
Appears in Collections:	中国科学院金属研究所_专利

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甘俊杰,谭丽丽,杨柯,等. 一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法. 2015.

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