电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si

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	电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si
	郭莉莉; 那铎
	2018-02-15
发表期刊	中国无机分析化学
期号	01 页码:50-52
摘要	采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对TB9钛合金中微量Si的测定进行了研究。总结了基体对较灵敏Si的8条分析线的光谱干扰,发现从Si 185.067nm到Si 288.158nm均有不同基体元素的干扰,对微量Si的测定影响很大。经研究对比,选用背景相对低且信噪比高的Si 288.158nm线,以试剂加定量V为空白来校正基体V的光谱叠加干扰,标准加入法测定。方法检出限0.04μg/mL,标准加入校准曲线的线性相关系数0.999 9。样品加标回收率为100%~105%,相对标准偏差(n=8)小于2.0%。方法简便可靠,可获得满意的分析结果。
部门归属	中国科学院金属研究所
关键词	Tb9钛合金微量si 电感耦合等离子体原子发射光谱法
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/79247
专题	中国科学院金属研究所
通讯作者	郭莉莉
推荐引用方式 GB/T 7714	郭莉莉,那铎. 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si[J]. 中国无机分析化学,2018(01):50-52.
APA	郭莉莉,&那铎.(2018).电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si.中国无机分析化学(01),50-52.
MLA	郭莉莉,et al."电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定TB9钛合金中微量Si".中国无机分析化学 .01(2018):50-52.