| 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析 | |
| 其他题名 | Optimization of silicon etching process using response surface method |
| Fu Wenting; Liang Qiao; Cui Kefu; Shi Tianli; Zhang Na; Zheng Dongming; Tang Hui; Sun Haiwei | |
| 2016 | |
| 发表期刊 | 强激光与粒子束
 |
| ISSN | 1001-4322 |
| 卷号 | 28.0期号:006页码:064109-1 |
| 摘要 | 利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。 |
| 其他摘要 | In this paper, the response surface methodology（RSM） is applied to optimizing the operatingconditions of silicon etching for pressure sensor fabrication. Three operating parameters, the temperature, theKOH concentration and the etching time are considered in this study, and the ranges of them are 40-60℃, 0.40.48 mol/L and 5-12.5 h, respectively. A quadratic model is established to describe the anisotropic etching rateas the response value, and the individual effects of these operating parameters and the combined effects of multiple operating conditionson etching rate are examined. |
| 关键词 | KOH各向异性 响应面分析方法 刻蚀速率 传感器 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5687363 |
| 引用统计 | |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/87923 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fu Wenting,Liang Qiao,Cui Kefu,等. 响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析[J]. 强激光与粒子束,2016,28.0(006):064109-1. |
| APA | Fu Wenting.,Liang Qiao.,Cui Kefu.,Shi Tianli.,Zhang Na.,...&Sun Haiwei.(2016).响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析.强激光与粒子束,28.0(006),064109-1. |
| MLA | Fu Wenting,et al."响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析".强激光与粒子束 28.0.006(2016):064109-1. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论