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AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 133-135
作者:  闫鹏飞;  隋曼龄
收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2012/04/12
氮化镓  位错  带状缺陷  拉应力