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Study on high-temperature performances of 1.3-mu m InGaAsP-InP strained multiquantum-well buried-heterostructure lasers 期刊论文
Ieee Photonics Technology Letters, 2005, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 276-278
作者:  J. Y. Jin;  J. Shi;  D. C. Tian
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Cavity Length  High-temperature Performance  Multiquantum-well (Mqw)  Output Power Degradation  Semiconductor Lasers  Stripe Width  Efficiency  Mode  
Low threshold current 1.3-mu m GaInNAsVCSELs grown by MOVPE 期刊论文
Ieee Photonics Technology Letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 717-719
作者:  A. W. Yue;  K. Shen;  R. F. Wang;  J. Shi
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Gainnas  Low Threshold Current  Vertical-cavity Surface-emitting Lasers  (Vcsels)  Continuous-wave Operation  Vertical-cavity Lasers  Diodes