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HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2012/04/12
界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696  
HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文
电子显微学报, 沈阳, 2006-08-26
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2013/08/21
栅氧化层  氧化硅  高k介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术  
掺Ag颗粒BaTiO_3薄膜的TEM研究 期刊论文
电子显微学报, 2005, 期号: 4, 页码: 348
作者:  卓木金,马秀良
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2012/04/12
Batio_3薄膜:5877  小颗粒:5487  Tem研究:4472  形貌:2629  Batio3薄膜:1718  高分辨像:1431  微观结构:968  样品:966  微孪晶:901  基体:858