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硅中氧沉淀的高分辨电镜研究 期刊论文
科学通报, 1987, 期号: 15, 页码: 1198-1199
作者:  肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2012/04/12
高分辨电镜研究:6353  方法研究:4669  氧沉淀:4372  集成电路工艺:2400  直拉硅单晶:2231  预先热处理:1658  沉淀速率:1325  硅中氧:1179  有害杂质:1139  新技术:875