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Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2021/02/02
phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5  
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy
收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2021/02/02
phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5