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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu;  Zhao Youwen
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