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Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Li, Wei;  Wang, Weiying;  Jin, Peng;  Wang, Zhanguo
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Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys  
Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Li, Wei;  Wang, Weiying;  Jin, Peng;  Wang, Zhanguo
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Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys