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钙钛矿型氧化物薄膜及多层膜中结构与缺陷的电子显微学研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008
作者:  卓木金
收藏  |  浏览/下载:112/0  |  提交时间:2012/04/10
透射电子显微术  钙钛矿氧化物  显微结构  
HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载:75/0  |  提交时间:2012/04/12
界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696  
HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文
电子显微学报, 沈阳, 2006-08-26
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载:66/0  |  提交时间:2013/08/21
栅氧化层  氧化硅  高k介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术  
Interfacial microstructure of Ti3AlC2 and Al2O3 oxide scale 期刊论文
SCRIPTA MATERIALIA, 2006, 卷号: 54, 期号: 10, 页码: 1815-1820
作者:  Lin, ZJ;  Zhuo, MJ;  Zhou, YC;  Li, MS;  Wang, JY
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Ti3AlC2  oxidation  orientation relationship  interface  transmission electron microscopy  
Single [101]-oriented growth of La0.9Sr0.1MnO3 films on vicinal SrTiO3(001) substrates 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 7, 页码: 3
作者:  Zhuo, MJ;  Zhu, YL;  Ma, XL;  Lu, HB
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