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Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
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Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping
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