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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.;  Zhang, M. L.;  Feng, C.;  Hou, Q. F.;  Wei, M.;  Jiang, L. J.;  Li, J. M.;  Wang, Z. G.
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AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device