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Defect-induced strain relaxation in 3C-SiC films grown on a (100) Si substrate at low temperature in one step 期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2016, 卷号: 18, 期号: 36, 页码: 6817-6823
作者:  Yang, Bing;  Zhuang, Hao;  Li, Junhao;  Huang, Nan;  Liu, Lusheng;  Tai, Kaiping;  Jiang, Xin
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