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六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究 期刊论文
电子显微学报, 1998, 期号: 5, 页码: 85-86
作者:  王绍青,刘全朴,王元明
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晶体缺陷:6491  Gan薄膜:5257  分子束外延:2966  原子像:2587  高分辨:2548  位错结构:1896  电子显微镜:1364  刃型:1099  外延生长:895  缺陷结构:872  
铝-银合金在疲劳过程中所表现的一些特点 期刊论文
物理学报, 1980, 期号: 2, 页码: 173-181
作者:  王中光,夏月波,黄元士,葛庭燧
收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2012/04/12
扭应变:5073  疲劳过程:3925  滑移带:3681  原子簇:3186  Mg合金:3065  银合金:2620  位错:2548  溶质原子:2118  循环数:1987  疲劳载荷:1982