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[110]和[112]取向β-Sn单晶体的形变行为 期刊论文
金属学报, 2008, 期号: 12, 页码: 1409-1414
作者:  刘江涛;  王中光;  尚建库
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单晶体sn  应变速率敏感指数  激活能  加工硬化指数  交滑移  滑移系  临界分解切应力(Crss)  
110和112取向β-Sn单晶体的形变行为 期刊论文
金属学报, 2008, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1409-1414
作者:  刘江涛;  王中光;  尚建库
收藏  |  浏览/下载:80/0  |  提交时间:2021/02/02
单晶体Sn  应变速率敏感指数  激活能  加工硬化指数  交滑移  滑移系  临界分解切应力(CRSS)  
110和112取向β-Sn单晶体的形变行为 期刊论文
金属学报, 2008, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1409-1414
作者:  刘江涛;  王中光;  尚建库
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单晶体Sn  应变速率敏感指数  激活能  加工硬化指数  交滑移  滑移系  临界分解切应力(CRSS)  
铜三晶体弹性应力场和主滑移系分解切应力的有限元分析 期刊论文
固体力学学报, 1999, 期号: 3, 页码: 251-258
作者:  任德斌,贾维平,李守新,王中光,彭兆行
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有限元  三晶交点  晶界  滑移系  分解切应力  
硅晶体中单个位错的运动 期刊论文
物理学报, 1980, 期号: 6, 页码: 698-705
作者:  巴图,何怡贞
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单个位错:6260  硅晶体:3980  位错环:2905  位错运动:2695  扩展位错:2638  半位错:2381  弯结:2255  分解切应力:2230  运动速度:2043  硅单晶:1542