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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
面心立方晶体循环形变行为的物理本质
会议论文
第十五届全国疲劳与断裂学术会议论文集, 2010
作者:
李鹏
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浏览/下载:110/0
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提交时间:2014/01/09
面心立方晶体
位错组态
驻留滑移带
层错能
层错偶极子
扩展位错
面心立方晶体循环形变行为研究
学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
作者:
李鹏
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浏览/下载:246/0
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提交时间:2012/04/10
面心立方晶体
铜单晶体
银单晶体
Css曲线
位错组态
驻留滑移带
形变带
层错能
取向
层错偶极子
扩展位错
单晶 Ni 基合金蠕变初期的组织形貌及演化
期刊论文
沈阳工业大学学报, 1997, 期号: 6, 页码: 67-72
作者:
田素贵,周惠华,张静华,杨洪才,徐永波,胡壮麒
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浏览/下载:79/0
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提交时间:2012/04/12
单晶ni基合金
交滑移
“f-r”源扩展位错
激光重熔Al-Si合金层间隙析出Si中缺陷研究
期刊论文
电子显微学报, 1996, 期号: 6, 页码: 22
作者:
赵云飞,李斗星
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2012/04/12
Al-si合金:7153
激光重熔:5902
层间隙:2356
半位错:1688
孪晶结构:1156
晶体缺陷:1090
电子显微学:963
扩展位错:907
原子面:821
高分辨电子显微像:795
硅晶体中单个位错的运动
期刊论文
物理学报, 1980, 期号: 6, 页码: 698-705
作者:
巴图,何怡贞
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2012/04/12
单个位错:6260
硅晶体:3980
位错环:2905
位错运动:2695
扩展位错:2638
半位错:2381
弯结:2255
分解切应力:2230
运动速度:2043
硅单晶:1542