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Ta中氢化物沉淀过程的内耗研究 期刊论文
金属学报, 1986, 期号: 3, 页码: 26-32
作者:  李广义;  潘正良;  王晓伟;  肖金泉
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/04/12
氢化物:6071  沉淀过程:3746  低频内耗:3716  内耗峰:3163  位错交互作用:2408  冷加工:2338  增强作用:2086  扭转形变:1946  范性形变:1808  加氢:1611