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包含逃逸过程的正电子位错捕获模型 期刊论文
高能物理与核物理, 1990, 期号: 9, 页码: 769-776
作者:  熊良钺;  龙期威
收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/04/12
正电子湮没:6366  位错芯:3973  捕获率:3289  温度依赖性:3009  逃逸率:2481  割阶:2158  位错线:2079  模型:1982  自由态:1643  高能物理与核物理:1424