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Ga在Ni(111)表面上形成的超结构 期刊论文
物理学报, 1985, 期号: 7, 页码: 964-967
作者:  屠礼勋,孙玉珍
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超结构:8438  蒸镀:3290  Leed:2453  覆盖度:2238  热蒸发源:1628  低能电子衍射:1158  Ni衬底:1074  活动挡板:848  观察到:743  蒸发物:714