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HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2012/04/12
界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696