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Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究 期刊论文
物理学报, 1986, 期号: 7, 页码: 965-968+970-974
作者:  张京,刘安生,吴自勤,郭可信
收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2012/04/12
Si薄膜:5337  Pd膜:5131  透射电子显微镜:3251  固相反应:3190  外延:2777  织构:2552  退火温度:1741  衍射图:1698  图版:1556  取向关系:1360  
用正电子湮没技术研究形变铁的恢复 期刊论文
物理学报, 1982, 期号: 1, 页码: 126-131
作者:  曹玔,王蕴玉,熊兴民,熊良钺,姜健
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2012/04/12
形变:5384  正电子湮没技术:4904  正电子湮没寿命:4465  捕获速率:2575  退火温度:2552  多普勒加宽:2545  参考样品:1534  S参数:1453  缺陷浓度:1245  自由迁移:1169