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Growth of topological crystalline insulator SnTe thin films on Si(111). substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Surface Science, 2014, 卷号: 621, 页码: 104-108
作者:  C. H. Yan;  H. Guo;  J. Wen;  Z. D. Zhang;  L. L. Wang;  K. He;  X. C. Ma;  S. H. Ji;  X. Chen;  Q. K. Xue
收藏  |  浏览/下载：161/0  |  提交时间：2014/03/14
Topological Crystalline Insulator  Electronic Structure  Molecular Beam  Epitaxy  Scanning Tunneling Microscopy  Angle-resolved Photoemission  Spectroscopy  Experimental Realization  Bi2se3  Bi2te3  Phase  
First-principles study of lithium adsorption on Si(100)2 x 1 and Ge(100)2 x 1 surface at 1.0 monolayer coverage 期刊论文
Chemical Physics, 2006, 卷号: 325, 期号: 2, 页码: 525-530
作者:  Z. G. Wang;  X. T. Zu;  J. L. Nie;  H. Y. Xiao
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First-principles Calculation  Lithium Adsorption  Atomic Structure  Angle-resolved Photoemission  Energy Electron-diffraction  Core-level  Spectroscopy  Si(001)2x1-k Surface  Photoelectron-spectroscopy  Alkali-metals  Ab-initio  Li  Resolution  Atoms  
Atomic and electronic structures of rubidium adsorption on Si(001)(2 x 1) surface: Comparison with Cs/Si(001) surface 期刊论文
Chemical Physics, 2006, 卷号: 323, 期号: 2-3, 页码: 383-390
作者:  H. Y. Xiao;  X. T. Zu;  Y. F. Zhang;  F. Gao
收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2012/04/14
First-principles Calculations  Rubidium  Adsorption  Silicon  Adsorbed Si(100) Surfaces  Angle-resolved Photoemission  Potassium  Double-layer  X-ray-diffraction  Photoelectron-spectroscopy  2x1-k  Surface  Cs  Si(001)-(2x1)  Overlayer  Cesium