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Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Ar Flow Rate  Ecr-pecvd  Poly-si  Thin Films  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Low-temperatures  Plasma  Growth  Transition  Hydrogen