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Identifying atomically thin isolated-band channels for intrinsic steep-slope transistors by high-throughput study 期刊论文
SCIENCE BULLETIN, 2024, 卷号: 69, 期号: 10, 页码: 1427-1436
作者:  Qu, Hengze;  Zhang, Shengli;  Cao, Jiang;  Wu, Zhenhua;  Chai, Yang;  Li, Weisheng;  Li, Lain-Jong;  Ren, Wencai;  Wang, Xinran;  Zeng, Haibo
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2D materials  Electronic band structures  Transport properties  Steep-slope transistors  DFT-NEGF calculations