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Study on the effects of well number on temperature characteristics in 1.3-mu m InGaAsP-InP quantum-well lasers 期刊论文
Infrared Physics & Technology, 2004, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 209-215
作者:  J. Y. Jin;  D. C. Tian;  J. Shi;  T. N. Li
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Movpe  Ingaasp/ingaasp Sl-mqw  Well Number  Characteristic Temperature  Semiconductor Lasers  Semiconductor-lasers  Dfb Laser  Operation  Amplifiers  Design  Gain