中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Investigations on the local structure and the EPR parameters for Cu(2+)-doped GaN 期刊论文
Modern Physics Letters B, 2008, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 1739-1747
作者:  L. H. Wei;  S. Y. Wu;  Z. H. Zhang;  H. Wang;  X. F. Wang
收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2012/04/13
Electron Paramagnetic Resonance  Defect Structures  Crystal-fields And  Spin Hamiltonians  Cu(2+)  Gan  Electron-paramagnetic-resonance  Atomic Screening Constants  Defect  Structures  Scf Functions  Doped Gan  Transition  Crystals  Ions  Impurities  Fe3++  
Ferromagnetic properties, electronic structure, and formation energy of Ga(0.9375)M(0.0625)N (M=vacancy, Ca) by first principles study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4
作者:  S. W. Fan;  K. L. Yao;  Z. L. Liu;  G. Y. Gao;  Y. Min;  H. G. Cheng
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2012/04/13
Generalized Gradient Approximation  Doped Zno  Gan  Semiconductors  Calcium  Systems  Origin  
Characterization and photoluminescence of AIN : Eu films 期刊论文
Optical Materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 1029-1036
作者:  F. S. Liu;  H. W. Dong;  Q. L. Liu;  J. K. Liang;  J. Luo;  Y. Zhang;  L. T. Yang;  G. H. Rao
收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2012/04/13
Luminescence  Semiconductor  A1n : Eu Film  Red-light Emission  Aln Thin-films  Doped Gan  Visible Emission  Tb  Ions  Er  Nitride  Electroluminescence  Cathodoluminescence  Voltage  
Photoluminescence and characteristics of terbium-doped AlN film prepared by magnetron sputtering 期刊论文
Applied Surface Science, 2005, 卷号: 245, 期号: 1-4, 页码: 391-399
作者:  F. S. Liu;  W. J. Ma;  Q. L. Liu;  J. K. Liang;  J. Luo;  L. T. Yang;  G. B. Song;  Y. Zhang;  G. H. Rao
收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2012/04/14
Photoluminescence  Tb-doped  Aluminum Nitride  Film  Red-light Emission  Thin-films  Visible Emission  Green  Electroluminescence  Tb Ions  Gan  Nitride  Er  Cathodoluminescence  Eu