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Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899-5901
作者:  M. Zhang;  X. L. Ma;  D. X. Li;  H. B. Lu;  Z. H. Chen;  G. Z. Yang
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Quantum Dots  Thin-films  Growth  Nanocrystals  Islands  Epitaxy  Gaas  Ge  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620
作者:  Liu, JP;  Gong, Q;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Ge islands  Ge films  bimodal distribution  Ehrlich-Schwoebel barriers