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Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:  Zhang, Y;  Zeng, YP;  Ma, L;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, LC;  Yang, FH
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resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope