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Ab initio calculation of intrinsic diffusion coefficients for boron in silicon at finite temperatures 期刊论文
European Physical Journal B, European Physical Journal B, 2009, 2009, 卷号: 72, 72, 期号: 4, 页码: 567-573, 567-573
作者:  S. Y. Ma;  S. Q. Wang
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Interstitial Boron  Interstitial Boron  Irradiated Silicon  Irradiated Silicon  Point-defects  Point-defects  Phosphorus  Phosphorus  Si  Si  Pseudopotentials  Pseudopotentials  Dopants  Dopants  
AN EPR STUDY ON PROTON-IMPLANTED DEFECT IN FZ-SILICON 期刊论文
Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1992, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 437-442
作者:  E. Wu;  X. C. Xi;  X. T. Lu;  D. Y. Shen;  X. M. Wang;  G. G. Qin
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Defects  Epr  Ir Absorption Peak  Hyperfine Splitting  Proton-implantation  Neutron-irradiated Silicon  Charge State  Hydrogen