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Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
作者:  J. C. Sun;  Q. J. Feng;  J. M. Bian;  D. Q. Yu;  M. K. Li;  C. R. Li;  H. W. Liang;  J. Z. Zhao;  H. Qiu;  G. T. Du
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P-zno:N/n-gan:Si Hererojunction  Led  Uv Electroluminescence  Mocvd  Chemical-vapor-deposition  Zinc-oxide  N-zno  Nitrogen  Films  Fabrication  Substrate