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Adsorption of O on Mo(110) surface from first-principles calculation 期刊论文
European Physical Journal B, 2009, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 27-34
作者:  Y. G. Zhou;  X. T. Zu;  J. L. Nie;  F. Gao
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Low-temperature Adsorption  Oxygen-adsorption  Ab-initio  Plane  Mo  Pseudopotentials  p(2x2)O/mo(110)  Electron  Elements  Phonons  
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Li, JP;  Liu, XF;  Huang, DD;  Sun, DZ
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Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics