中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文
Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737
作者:  S. X. Jin;  M. H. Yuan;  L. P. Wang;  H. Z. Song;  H. P. Wang;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2012/04/14
Schottky Barrier (Sb)  Metal-semiconductor (Ms) Interfaces  Hydrogen  Zero Bias Annealing (Zba)  Reverse Bias Annealing (Rba)  Unified Defect Model  Crystalline Semiconductors  States