中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
New selection rule of resonant Raman scattering in MoS2 monolayer under circular polarization 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 102, 页码: 132-136
作者:  Huang, Jianqi;  Liu, Zhiyong;  Yang, Teng;  Zhang, Zhidong
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2022/07/01
First principles calculation  Resonant Raman  Helicity selection rule  MoS2 monolayer  
Stacking stability of MoS2 bilayer: An an initio study 期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10
作者:  P. Tao;  H. H. Guo;  T. Yang;  Z. D. Zhang
收藏  |  浏览/下载：164/0  |  提交时间：2015/01/14
Mos2  Stacking Order  Climbing-image Nudge-elastic Band  Isobaric  Sliding  Field-effect Transistors  Metal Dichalcogenides  Electronic-structure  Band-gap  Monolayer