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EFFECT OF BIAS ANNEALING ON AU/N-SI SCHOTTKY-BARRIER WITH HYDROGEN INCORPORATION 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 9, 页码: 5592-5594
作者:  M. H. Yuan;  Y. Q. Jia;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2012/04/14
N-type Gaas  Crystalline Semiconductors  Ti/n-gaas  States  Diodes