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High-performance dual-gate carbon nanotube FETs with 40-nm gate length 期刊论文
Ieee Electron Device Letters, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 823-825
作者:  Y. M. Lin;  J. Appenzeller;  Z. H. Chen;  Z. G. Chen;  H. M. Cheng;  P. Avouris
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Carbon Nanotube (Cn)  Dual Gate  Field-effect Transistor (Fet)  Short-channel Effect  Field-effect Transistors