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Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ;  Kong, MY
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n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 201, 页码: 556-559
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Liu, XF;  Li, JP;  Huang, DD;  Li, LX;  Sun, DZ
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strain relaxation  Si SiGe  interdiffusion  morphological evolution  
Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ
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X-ray diffraction  SiGe/Si  disilane cracking  dynamic simulation