中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films? 期刊论文
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020
作者:  M. Xu;  Q. Y. Chen;  S. Xu;  K. Ostrikov;  Y. Wei;  Y. C. Ee
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2012/04/13
Sinx Film  Sio(2)  Annealing  Photoluminescence  Silicon Oxynitride  Si0.7ge0.3 Layers  Defect Spectrum  Nanostructures  Luminescence  Morphology  Devices  Origin  Growth