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Low-temperature (120 degrees C) growth of nanocrystalline silicon films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition from SiCl4/H-2 gases: Microstructure characterization 期刊论文
Applied Surface Science, 2012, 卷号: 258, 期号: 7, 页码: 3221-3226
作者:  L. Zhang;  J. H. Gao;  J. Q. Xiao;  L. S. Wen;  J. Gong;  C. Sun
收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2013/02/05
Nanocrystalline Silicon  Pecvd  Microstructure  Raman Spectra  Hydrogenated Amorphous-silicon  Thin-films  Raman-spectroscopy  Solar-cells  Mechanism  Sih2cl2