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The microstructure and optical properties of SiNx deposited by linear microwave chemical vapor deposition 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 6
作者:  Zhang Jian;  Ba DeChun;  Zhao ChongLing;  Liu Kun;  Du GuangYu
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SILICON-NITRIDE FILMS  THIN-FILMS  PLASMA  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SiNx thin film  linear microwave chemical vapor deposition  refractivity  deposition rate  
The microstructure and optical properties of SiNx deposited by linear microwave chemical vapor deposition 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 6
作者:  Zhang Jian;  Ba DeChun;  Zhao ChongLing;  Liu Kun;  Du GuangYu
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SILICON-NITRIDE FILMS  THIN-FILMS  PLASMA  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SiNx thin film  linear microwave chemical vapor deposition  refractivity  deposition rate  
How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films? 期刊论文
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020
作者:  M. Xu;  Q. Y. Chen;  S. Xu;  K. Ostrikov;  Y. Wei;  Y. C. Ee
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2012/04/13
Sinx Film  Sio(2)  Annealing  Photoluminescence  Silicon Oxynitride  Si0.7ge0.3 Layers  Defect Spectrum  Nanostructures  Luminescence  Morphology  Devices  Origin  Growth