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Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core-Shell Heterostructures 期刊论文
NANO LETTERS, 2015, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: 7837-7846
作者:  Liu, Baodan;  Yang, Bing;  Yuan, Fang;  Liu, Qingyun;  Shi, Dan;  Jiang, Chunhai;  Zhang, Jinsong;  Staedler, Thorsten;  Jiang, Xin;  baodanliu@hotmail.com;  xjiang@imr.ac.cn
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Wurtzite Gan  3c-sic  Core-shell Heterostructure  Stacking Faults  Confined Epitaxial Growth  
Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis 期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994
作者:  W. Zhang;  X. R. Chen;  L. C. Cai;  Q. Q. Gou
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2012/04/13
Semiconductors  Electronic Band Structure  Optical Properties  Density  Functional Theory  Aluminum Nitride  Wurtzite  Zincblende  Gan  Films  Inn  
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:  L. Y. Lu;  X. R. Chen;  Y. Cheng;  J. Z. Zhao
收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2012/04/14
Gan  Thermodynamic Properties  Transition Phase  Generalized Gradient Approximation  Molecular-beam Epitaxy  Iii-v  Nitrides  Gallium Nitride  High-pressure  Plane-wave  Stability  Wurtzite  Growth  Pseudopotentials  
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:  L. Y. Lu;  X. R. Chen;  Y. Cheng;  J. Z. Zhao
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Gan  Thermodynamic Properties  Transition Phase  Generalized Gradient Approximation  Molecular-beam Epitaxy  Iii-v  Nitrides  Gallium Nitride  High-pressure  Plane-wave  Stability  Wurtzite  Growth  Pseudopotentials  
Blue emission and Raman scattering spectrum from AlN nanocrystalline powders 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 198-202
作者:  Y. G. Cao;  X. L. Chen;  Y. C. Lan;  J. Y. Li;  Y. P. Xu;  T. Xu;  Q. L. Liu;  J. K. Liang
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Wurtzite Aln  Photoluminescence Spectrum  Raman Scattering Spectrum  Photoluminescence Properties  Gan  Defects  
A theoretical study on various models for the domain boundaries in epitaxial GaN films 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 475-480
作者:  S. Q. Wang;  Y. M. Wang;  H. Q. Ye
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Molecular-beam Epitaxy  Defect Structure  Wurtzite Gan  Mocvd  Aln  
A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film 期刊论文
Materials Letters, 1999, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 202-207
作者:  S. Q. Wang;  C. P. Liu
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Crystal Defect  Wurtzite Gan  Epitaxial Growth  High-resolution Electron  Microscopy  Molecular-beam Epitaxy  Electron-microscopy Characterization  Gan  Diffraction  Boundaries  Sapphire  Software  Growth  Domain  Mocvd