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In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C
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doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Zeng, YP;  Lin, LY
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molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices