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High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  
High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  
High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Li, JP;  Liu, XF;  Huang, DD;  Sun, DZ
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Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  
Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445
作者:  Liu, JP;  Liu, XF;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics