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	中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究
其他题名	On the hysteresis loop in deposition of Al2O3 films prepared by medium-frequentcy reactive magnetron sputtering
	廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
	2007
发表期刊	真空
ISSN	1002-0322
卷号	44.0期号:003页码:32-35
摘要	采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过对实验现象的分析讨论,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
其他摘要	Aluminum oxides films were grown by medium-frequency reactive magnetron sputtering. Hysteresis loop observed in the relationship between the sputtering voltage （or the film deposition rate） and the oxygen flow rate was studied. Influence of oxygen partial pressure on oxide layer in the sputtered areas on target surfaces may account for the change in film deposition rate
关键词	迟滞回线 反应溅射 中频溅射 氧化铝薄膜
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:3170122
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/145656
专题	中国科学院金属研究所
作者单位	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究[J]. 真空,2007,44.0(003):32-35.
APA	廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究.真空,44.0(003),32-35.
MLA	廖国进,et al."中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究".真空 44.0.003(2007):32-35.

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