掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响

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	掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响
	廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
	2007-12-25
发表期刊	功能材料与器件学报
期号	6 页码:543-548
摘要	应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al_2O_3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce~(3+)离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能。通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce~(3+)浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce~(3+)。Al_2O_3:Ce~(3+)发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
部门归属	东北大学机械工程与自动化学院辽宁工学院机械工程与自动化学院锦州 121001,东北大学机械工程与自动化学院,中国科学院金属研究所表面工程部,北京航空航天大学机械工程与自动化学院,辽宁工学院机械工程与自动化学院,,沈阳 110004,沈阳 110004,沈阳 110016,北京 100083,锦州 121001
关键词	三氧化二铝薄膜中频反应磁控溅射掺杂浓度光致发光 Ce
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24537
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,巴德纯,闻立时,等. 掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响[J]. 功能材料与器件学报,2007(6):543-548.
APA	廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响.功能材料与器件学报(6),543-548.
MLA	廖国进,et al."掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响".功能材料与器件学报 .6(2007):543-548.