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Electronic structure and half-metallic property of Si3CaC4 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2011, 卷号: 83, 期号: 3, 页码: 319-323
作者:  Huang, H. M.;  Yao, K. L.
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Electronic structure and half-metallic property of Si(3)CaC(4) 期刊论文
European Physical Journal B, 2011, 卷号: 83, 期号: 3, 页码: 319-323
作者:  H. M. Huang;  K. L. Yao
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2012/04/13
Diluted Magnetic Semiconductor  Ferromagnetism  1st-principles  Mn  Films  
Electronic structures for armchair-edge graphene nanoribbons under a small uniaxial strain 期刊论文
European Physical Journal B, 2010, 卷号: 76, 期号: 3, 页码: 463-467
作者:  W. H. Liao;  B. H. Zhou;  H. Y. Wang;  G. H. Zhou
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Electromechanical Properties  Carbon Nanotubes  
Nonequilibrium electron and spin properties in a parallel double quantum dot Fano interference device 期刊论文
European Physical Journal B, 2010, 卷号: 75, 期号: 2, 页码: 237-245
作者:  C. Jiang;  X. F. Xie;  W. J. Gong;  G. Z. Wei
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Negative Differential Conductance  Transport  Charge  Fluctuations  Resonances  Amplifiers  Nanotubes  Coherence  Blockade  States  
Electronic transport for a crossed graphene nanoribbon junction with and without doping 期刊论文
European Physical Journal B, 2010, 卷号: 76, 期号: 3, 页码: 421-425
作者:  B. H. Zhou;  W. H. Liao;  B. L. Zhou;  K. Q. Chen;  G. H. Zhou
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Conductance  Resonances  Disorder  
Double-exchange model study of multiferroic RMnO3 perovskites 期刊论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2009, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 339-344
作者:  Dong, S.;  Yu, R.;  Yunoki, S.;  Liu, J. -M.;  Dagotto, E.
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First-principles study for transport properties of defective carbon nanotubes with oxygen adsorption 期刊论文
European Physical Journal B, 2009, 卷号: 69, 期号: 3, 页码: 375-382
作者:  Z. Li;  C. Y. Wang;  S. H. Ke;  W. Yang
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Augmented-wave Method  Single  Irradiation  Conductance  Transistors  Graphene  Tubules  
Ab initio calculation of intrinsic diffusion coefficients for boron in silicon at finite temperatures 期刊论文
European Physical Journal B, European Physical Journal B, 2009, 2009, 卷号: 72, 72, 期号: 4, 页码: 567-573, 567-573
作者:  S. Y. Ma;  S. Q. Wang
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Interstitial Boron  Interstitial Boron  Irradiated Silicon  Irradiated Silicon  Point-defects  Point-defects  Phosphorus  Phosphorus  Si  Si  Pseudopotentials  Pseudopotentials  Dopants  Dopants  
Adsorption of O on Mo(110) surface from first-principles calculation 期刊论文
European Physical Journal B, 2009, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 27-34
作者:  Y. G. Zhou;  X. T. Zu;  J. L. Nie;  F. Gao
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Low-temperature Adsorption  Oxygen-adsorption  Ab-initio  Plane  Mo  Pseudopotentials  p(2x2)O/mo(110)  Electron  Elements  Phonons  
Double-exchange model study of multiferroic RMnO(3) perovskites 期刊论文
European Physical Journal B, 2009, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 339-344
作者:  S. Dong;  R. Yu;  S. Yunoki;  J. M. Liu;  E. Dagotto
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