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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.;  Zhang, M. L.;  Feng, C.;  Hou, Q. F.;  Wei, M.;  Jiang, L. J.;  Li, J. M.;  Wang, Z. G.
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AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device  
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy
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phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5  
Investigation of phase change Si(2)Sb(2)Te(5)material and its application in chalcogenide random access memory 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 950-954
作者:  Zhang, Ting;  Song, Zhitang;  Liu, Bo;  Feng, Songlin;  Chen, Bomy
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phase change  chalcogenide random access memory  Si2Sb2Te5