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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构
期刊论文
物理学报, 1998, 期号: 11, 页码: 99-102
作者:
王绍青,刘全朴,叶恒强
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2012/04/12
外延生长:6883
Gan薄膜:3266
分子束外延:3157
原子像:2762
晶体缺陷:2559
高分辨率电子显微镜:2280
位错结构:2195
缺陷结构:1988
刃型:1409
电子显微术:1354
六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究
期刊论文
电子显微学报, 1998, 期号: 5, 页码: 85-86
作者:
王绍青,刘全朴,王元明
收藏
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浏览/下载:79/0
  |  
提交时间:2012/04/12
晶体缺陷:6491
Gan薄膜:5257
分子束外延:2966
原子像:2587
高分辨:2548
位错结构:1896
电子显微镜:1364
刃型:1099
外延生长:895
缺陷结构:872
几种纳米固体材料的显微结构特征
期刊论文
金属学报, 1995, 期号: 2, 页码: 79-84
作者:
平德海,李斗星,叶恒强,吴希俊
收藏
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浏览/下载:145/0
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提交时间:2012/04/12
纳米固体材料
晶界结构
缺陷结构
高分辨电镜
固体界面结构特征及其表征
会议论文
第六届全国固体缺陷会议论文集, 酒泉, 1994
作者:
李斗星
;
平德海
收藏
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浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2013/08/21
固体-固体界面
固体缺陷
缺陷结构
结构性能
表面结构
掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究
期刊论文
电子显微学报, 1984, 期号: 4, 页码: 13
作者:
秦禄昌
;
李斗星
;
郭可信
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浏览/下载:116/0
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提交时间:2012/04/12
高分辨电子显微术:6168
硫化锌晶体:5148
缺陷结构:4295
掺铜:2897
原子团:1381
发光材料:1217
发光性能:1204
晶体结构:1189
晶体缺陷:1180
高分辨象:966